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本发明提供一种ReBa2Cu3O7‑x超导薄膜上制备钉扎层的方法,涉及陶瓷材料制备技术领域。本发明为一种ReBa2Cu3O7‑x超导薄膜上制备钉扎层的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供金属元素掺杂的ReBa2Cu3O7‑x模板层,以及在所述ReBa2Cu3O7‑x模板层表面沉积ReBa2Cu3O7‑x超导层;以及,激光照射所述ReBa2Cu3O7‑x超导层。激光照射成膜辅助沉积得到均匀的温度场和能量场,使制备的薄膜面内取向更好,且沉积速率更快、沉积温度更低,大幅度地提高高温超导在高场下的临界电流密度及磁通钉扎力,提高钇系高温超导材料性能。
📄 2018108457827 📂 H01L39_24 👤 武汉工程大学 📅 2018-07-27
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发明 已授权

一种ReBa2Cu3O7-x超导薄膜上制备钉扎层的方法

2018108457827 · 武汉工程大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
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交易金额:¥50万/年