本发明提供一种ReBa2Cu3O7‑x超导薄膜上制备钉扎层的方法,涉及陶瓷材料制备技术领域。本发明为一种ReBa2Cu3O7‑x超导薄膜上制备钉扎层的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供金属元素掺杂的ReBa2Cu3O7‑x模板层,以及在所述ReBa2Cu3O7‑x模板层表面沉积ReBa2Cu3O7‑x超导层;以及,激光照射所述ReBa2Cu3O7‑x超导层。激光照射成膜辅助沉积得到均匀的温度场和能量场,使制备的薄膜面内取向更好,且沉积速率更快、沉积温度更低,大幅度地提高高温超导在高场下的临界电流密度及磁通钉扎力,提高钇系高温超导材料性能。
📄 2018108457827
📂 H01L39_24
👤 武汉工程大学
📅 2018-07-27