发明专利已授权

一种基于平带二维微环晶格的拓扑角态调控方法

📄 申请号：CN202510373524.3 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2025-03-27

公开号

CN119986912B

公开日

2025-10-17

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B6_293

IPC 分类号

G02B6_293 , G02B1_00 , G02B6_122 ,

技术画像

所属领域

拓扑光子学拓扑光子学微环谐振腔光子晶格

应用场景

光通信, 光信号处理, 光子集成器件, 光学传感

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摘要

本发明公开了一种基于平带二维微环晶格的拓扑角态调控方法，属于拓扑角态调控技术领域，包括以下步骤：S1：构建平带二维微环晶格；S2：基于构建的平带二维微环晶格动态调控拓扑角态；本发明通过六角蜂窝型微环谐振腔设计，结合动态相位调控技术，实现光子规范势的灵活调节与拓扑态的角态具有鲁棒性的紧凑局域模式，解决了现有技术中光子规范势调控不灵活、拓扑态局域性不足和制造容错性差等核心问题，为片上集成光子器件提供高性能和高可靠性的设计范式。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种二硫化钼/钨酸锰纳米棒复合材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种氢取代石墨炔纳米粉体材料及其制备方法和应用

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