发明专利已授权

一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法

📄 申请号：CN201910380115.0 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2019-05-08

公开号

CN110078128B

公开日

2021-07-23

申请人

武汉市飞瓴光电科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G49_00

IPC 分类号

C01G49_00

技术画像

所属领域

铜铁矿结构材料铜铁矿结构材料热电材料掺杂改性材料

应用场景

热电转换, 光电催化, 光电器件, 功能陶瓷

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摘要

本发明提供一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法，属于半导体光电材料领域。包括以下步骤：（1）将铜盐、铁盐和镍盐按摩尔比1:0.94～0.98:0.02～0.06容器中混合，将混合物加入强碱溶液中，所述强碱溶液与所述铜盐的的摩尔比是为13～110；（2）溶液搅拌均匀后在120～180℃下反应6～24 h后，随炉冷却；（3）过滤得到粗样品，将粗样品置于恒温干燥烘箱中干燥得到铜铁矿结构CuFeO2粉末。本发明主要是向p型半导体材料CuFeO2中掺入受主杂质Ni，受主杂质可以从价带中获得电子而电离，使价带中空穴的浓度增多，从而增强了半导体的p型导电能力。镍掺杂提高了铜铁矿CuFeO2的空穴载流子浓度，降低了半导体的电阻率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种电池生产用安全性能检测装置

当前第 / 件

一种基于微波等离子体的温室气体处理装置

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