发明专利 已授权

一种Bi2S3的制备方法

📄 申请号:CN202010898087.4 📄 发布日:2025/11/16

著录项目信息

申请日
2020-08-31
公开号
CN112299481A
公开日
2021-02-02
申请人
武汉工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

光电材料, 热电材料, 催化剂, 传感器

摘要

本发明公开了一种Bi2S3的制备方法,它以铋源和复合硫源为主要原料进行溶剂热反应,再经洗涤、干燥,得Bi2S3产物。本发明采用一步溶剂热法,并首次提出以复合硫源代的替释传放统速的度单差一异硫及源不来同合硫成源B与i2BSi33,+利形用成的反应物过质程之中间的不同相硫互源作用,调控Bi2S3的生长机制,可有效提升所得Bi2S3的比表面积,并降低其粒径,可对Cr(VI)表现出优异的吸附与催化还原性能,为高性能Bi2S3的制备提供一条全新思路。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN112299481A

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C01G29_00)

C01G29_00 覆盖1个领域
议价
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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:157 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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