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发明专利
已授权
一种超薄高稳定性磁片制备方法
📄 申请号:CN202010441877.X
📄 发布日:2026/04/07
著录项目信息
申请日
2020-05-22
公开号
CN111564304B
公开日
2022-07-26
申请人
上海万兹新材料科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01F41_02
IPC 分类号
H01F41_02
,
H05K9_00
,
技术画像
所属领域
磁性材料
磁性材料
电子元件制造
粉体材料制备
应用场景
电子元器件, 电感器, 传感器, 通信设备, 电磁干扰抑制
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摘要
本发明公开了一种超薄高稳定性磁片制备方法,包括如下步骤1)磁性材料进行卷绕分切处理,2)磁性材料进行退火处理,3)将退火后的材料进行单面覆胶处理,得到第一磁性层,4)进行碎化处理,5)碎化处理后进行模切成型处理,得到指定外观尺寸的成品,所述碎化处理的方式为进行二次辊压,得到指定性能磁片,所述磁性材料进行卷绕分切处理之前进行表面预处理,所述步骤3)和4)之间还包括将第一磁性层进行多层贴合处理,得到第二磁性层。本发明,通过先碎后退火的预处理碎化方式能保证每层磁材都能最大化地得到碎化,且碎化颗粒均匀,磁片一致性好,磁片表面光滑平整,外观良率和性能良率高。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
气化渣制二氧化碳捕捉剂并联产氢气与合金的装置及工艺
当前第 / 件
数控等离子异形切割机床
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