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| 专利/申请号： | CN202010441877.X | 专利名称： | 一种超薄高稳定性磁片制备方法 |
| 申请日： | 2020-05-22 | 申请/专利权人 | 上海万兹新材料科技有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 上海市崇明区新河镇滨江路78号11幢2层A区 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01F41/02 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-07-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111564304B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 43 | 所属领域： | 无线充电 电力输送 稳定性专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种超薄高稳定性磁片制备方法，包括如下步骤1)磁性材料进行卷绕分切处理，2)磁性材料进行退火处理，3)将退火后的材料进行单面覆胶处理，得到第一磁性层，4)进行碎化处理，5)碎化处理后进行模切成型处理，得到指定外观尺寸的成品，所述碎化处理的方式为进行二次辊压，得到指定性能磁片，所述磁性材料进行卷绕分切处理之前进行表面预处理，所述步骤3)和4)之间还包括将第一磁性层进行多层贴合处理，得到第二磁性层。本发明，通过先碎后退火的预处理碎化方式能保证每层磁材都能最大化地得到碎化，且碎化颗粒均匀，磁片一致性好，磁片表面光滑平整，外观良率和性能良率高。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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