发明专利 已授权

一种绝热模式耦合器

📄 申请号:CN202310817079.6 📄 发布日:2026/05/28

著录项目信息

申请日
2023-07-05
公开号
CN116794768B
公开日
2024-10-01
申请人
南通大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

光通信系统, 数据中心光互连, 硅光子集成, 光信号处理, 光波导传输

摘要

本发明属于集成光电子技术领域,具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层,硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基;平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基;包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层;硅衬底连接二氧化硅下包层;二氧化硅下包层连接平板硅;平板硅、第一硅脊以及第二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式耦合器“尺寸大、集成度低”的问题,本发明旨在提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单、易加工的绝热模式耦合器。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN116794768B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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