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摘 要:本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法,所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极,其特征在于,n型掺杂硅栅极电极的边缘设置了栅极测试槽口和离子溶液槽口,所述活性半导体材料层选用TII(BFu)2。本发明所述晶体管对于不同离子呈现清晰的间隔排布,同时还对10‑6M到10‑2M的钠离子浓度有梯度变化的电流响应,适用于离子的检测。本发明方法测试结构简单便捷,摆脱了传统测试结构能耗较大的问题,测试过程中稳定性高,离子检测过程中选择性响应明显,并且耗材成本低廉,适用于大规模批量化生产及测试。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610079963.4 | 专利名称: | 一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法 |
申请日: | 2016-02-04 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市栖霞区文苑路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/05搜分类 教学教具搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105576125B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |