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发明专利
已授权
一种八硫化九钴多孔纳米片、正极材料、电池及制备方法
📄 申请号:CN201910704863.X
📄 发布日:2026/06/08
著录项目信息
申请日
2019-07-31
公开号
CN110723757B
公开日
2022-05-27
申请人
日照金慧科技信息咨询有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01M4_58
IPC 分类号
H01M4_58
,
C01G51_00
,
H01M10_054
,
B82Y40_00
,
技术画像
所属领域
正极材料
电池材料
纳米材料
过渡金属硫化物
正极材料
应用场景
锂离子电池, 钠离子电池, 储能系统, 新能源汽车, 便携式电子设备
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摘要
本申请实施例公开了一种八硫化九钴多孔纳米片、正极材料、电池及制备方法,所述八硫化九钴多孔纳米片的制备方法包括采用水热反应制备八硫化九钴多孔纳米片的前驱体;将所述前驱体依次进行煅烧和固相硫化处理,获得八硫化九钴多孔纳米片。采用本申请实施例提供的方法,八硫化九钴多孔纳米片的制备只需要水热反应结合后续煅烧和固相硫化处理即可得到,所需水热温度只需60‑210℃,煅烧温度只需400‑500℃,条件温和,对外界环境要求宽松。另外,上述方法步骤简单,方便重复制备,而且所需原料价格较低,适合工业化生产。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20250117
?? 专利权的转移 :
20220527
✅ 授权
20200225
?? 实质审查的生效 :
20200124
📄 公开
一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法
当前第 / 件
一种碳自包覆微米级氧化钨、负极材料、电池及制备方法
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