发明专利已授权

一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法

Name: 一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法
Brand: 日照金慧科技信息咨询有限公司
SKU: 2019106977126
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910697712.6 📄 发布日：2026/10/08

著录项目信息

申请日

2019-07-31

公开号

CN110707320B

公开日

2022-07-22

申请人

日照金慧科技信息咨询有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_58

IPC 分类号

H01M4_58 , H01M10_054 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

储能系统, 新能源汽车, 消费电子, 电池制造

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摘要

本申请实施例提供一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法，所述微米片为由二维过渡金属硫化物纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的二维过渡金属硫化物纳米片之间存在孔隙。在本申请实施例中，由于微米片为由纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的纳米片之间存在较多的孔隙，因此，该微米片拥有较大的比表面积，进而拥有较大的放电比容量。另外，二硫化钨具有较大的层间距(d＝0.62nm)和较弱的范德瓦尔斯力，从而使材料在铝离子的嵌入/脱出过程中不会产生较大形变，此外，相较于其他过渡金属二硫化物，二硫化钨拥有较高的本征电导率，所以更适合用作铝离子电池的正极材料。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110707320B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250117

?? 专利权的转移：

20220722

✅ 授权

20200218

?? 实质审查的生效：

20200117

📄 公开

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