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摘 要:本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件,室温原位控制合成碘铋铜的方法,将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内,在氮气氛围、密封条件下原位、20℃~35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件,包括基底层、CuBiI4:Spiro-OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。本发明简单、快捷、温和、绿色,进而与p型有机半导体Spiro-OMeTAD复合,最终组装成太阳能电池器件。电池结构简单,只有两层电极和一层CuBiI4:Spiro-OMeTAD共混层,成本低。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810684417.2 | 专利名称: | 室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件 |
申请日: | 2018-06-28 | 申请/专利权人 | 许昌学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省许昌市八一路88号许昌学院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/42搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2020-01-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110660915A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |