一种锗-铒掺杂二氧化锡多层复合薄膜及其制备方法

摘     要：本发明公开了一种锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜及其制备方法，本发明利用高真空多射频靶磁控溅射系统，在清洗后的衬底上，交替进行铒掺杂二氧化锡子层和非晶锗子层的溅射沉积，将沉积得到的铒掺杂二氧化锡/非晶锗多层复合半导体薄膜在氮气环境中进行热退火处理，使非晶锗子层内锗原子聚集晶化形成锗量子点，得到交替层叠结合在衬底上的锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜。本发明采用在铒掺杂二氧化锡半导体薄膜中插入锗量子点层，利用锗量子点的电子强关联特性敏化增强铒发光中心的光学活性，提高其发光效率；通过调节锗量子点的微观尺寸，可以改变其电子关联特性，实现对铒掺杂氧化物半导体材料中铒发光中心的光学调控。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注