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摘 要:本发明涉及阻变存储器技术领域,尤其涉及一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用。所述多值阻变存储器包括:底电极、PMMA层、ZnO QDs层和顶电极;其中,所述PMMA层和ZnO QDs层交替设置后夹在底电极和顶电极之间,且所述ZnO QDs为纳米级颗粒,其分布在PMMA层表面;所述PMMA层的主要作为电荷阻挡层;所述ZnO QDs层的主要作为电子俘获与脱陷中心层。相比于现有的RRAM,本发明的制备方法简单,展现出的低操作电压与无需电激活的特性有利于降低器件的功耗,而且通过调控施加在器件上的限制电流实现了多值存储,制备的器件在高密度低功耗存储中展现出了巨大的应用潜力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910791592.6 | 专利名称: | 一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用 |
申请日: | 2019-08-26 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10B63/00搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2023-10-17 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110504357B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |