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摘 要:本发明涉及基于SiO2/PDA‑Ag纳米复合物减弱CeO2‑CdS的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法。本发明以CeO2‑CdS作为基底材料并用可见光照射来获得光电流。CdS与CeO2能带匹配良好,使光电转换效率大大提高。SiO2/PDA‑Ag纳米复合物具有较大的空间位阻,其次Ag纳米颗粒与基底CdS之间存在能量转移,使光电响应实现双重减弱,增加了光电响应的变化值,从而提高了该传感器的灵敏度。根据不同浓度的待测物对光电信号强度的影响不同,实现了对脑利钠肽抗原的检测。其检测限为0.05 pg/mL。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810686904.2 | 专利名称: | 基于CeO2-CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法 |
申请日: | 2018-06-28 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N27/26搜分类 化学化工搜索 |
公开/公告日: | 2018-12-21 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109060898A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |