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一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用

来源:https://www.shizifang.com  发布日:2024/10/16

摘     要:本发明涉及一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用,属于光电化学传感器领域。利用湿化学法在氟掺杂的氧化锡FTO衬底上合成矩形的WO3纳米片,再通过化学浴沉积法将结构独特的TiO2纳米刺紧密的结合在WO3纳米片上,WO3和TiO2的能带结构和晶格结构间的双重匹配,增强了WO3的光电响应和稳定性。再采用原位生长法结合上p型窄禁带半导体Ag2O纳米颗粒,得到光电活性显著提高的三氧化钨复合材料WO3/TiO2/Ag2O,该材料在谷胱甘肽存在的条件下,显示出优异的可见光活性。通过层层自组装方法,将黄曲霉毒素B1抗体、牛血清白蛋白和黄曲霉毒素B1抗原组装到WO3/TiO2/Ag2O复合材料上,利用WO3/TiO2/Ag2O优异的光电活性以及黄曲霉毒素B1抗原抗体之间的特异性结合,实现对黄曲霉毒素B1的超灵敏检测,这对黄曲霉毒素B1的分析检测具有重要的意义。

著 录 项: 

专利/申请号: CN201810687088.7 复制 专利名称: 一种基于三氧化钨复合材料的光电化学黄曲霉毒素B1传感器的制备方法及应用 复制
申请日: 2018-06-28 申请/专利权人 济南大学
专利类型: 发明 地址: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
专利状态: 已下证 查询审查信息 分类号: G01N27/36搜分类   纳米材料 毒素搜索
公开/公告日: 2020-09-01 转让价格: 面议
公开/公告号: CN108845015B 交易状态: 等待洽谈   搜索相似专利

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专利转让材料

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    专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
    专利证原件(若授权下证) 专利证原件(若授权下证)

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