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摘 要:本发明提供一种集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法,通过硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术,获得悬空量子阱二极管器件结构,并利用聚焦离子束刻蚀和电子束蒸镀技术形成集成于悬空InGaN/GaN量子阱二极管的谐振光栅微腔,实现集成谐振光栅微腔的电泵浦悬空GaN薄膜激光器,可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔,调控微腔结构,实现波长可调的悬空GaN薄膜激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711462671.X | 专利名称: | 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 |
申请日: | 2017-12-28 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市新模范马路66号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/343搜分类 电器搜索 |
公开/公告日: | 2018-06-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108233181A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |