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摘 要:本发明公开了一种超疏水导热多层膜及其制备方法,包括如下步骤:采用等离子体增强化学气相沉积技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在单晶硅基片表面制备碳膜;采用磁控溅射技术以高纯铜为靶材在步骤中所生长的碳膜表面溅射沉积铜纳米膜;采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在所生长的铜纳米膜表面再次沉积碳膜;重复制备碳膜及铜纳米膜表面再次沉积碳膜的步骤2~4次;对所制备的多层膜在氢气氛围保护下高温烧结;采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对所烧结处理后的多层膜实施等离子体处理。通过上述步骤所获得的多层膜具有优异的超疏水和导热功能,在电子元器件散热和防水方面具有很好的应用前景。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111124727.7 | 专利名称: | 一种超疏水导热多层膜及其制备方法 |
申请日: | 2021-09-25 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省宜昌市西陵区大学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C28/00搜分类 导热薄膜 芯片散热薄膜 疏水搜索 |
公开/公告日: | 2023-10-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113897609B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |