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| 专利/申请号： | CN202111665891.9 | 专利名称： | 一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备 |
| 申请日： | 2021-12-31 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | B23K26/362 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-04-08 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN114289881A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 54 | 所属领域： | 微纳米 激光加工 芯片 半导体 电子元器件专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及微纳米制造技术领域，尤其涉及一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备，所述方法包括以下步骤：（S.1）采用激光加工的方式，制备具有空腔的硅基材料；（S.2）在热场中置入（S.1）所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料，进行热处理工艺；（S.3）在（S.2）所述环境中加入电场，对硅基材料进行诱导成形，完成硅基材料内部球形空腔三维结构。本发明首先将经过激光加工后的硅基材料进行热处理，在经过热处理后，硅材料空腔处的硅原子的原子迁移率大幅提升，然后在加入电场进一步对硅基材料进行诱导成形促使硅基内部三维结构成形，本发明在制备过程中具有简单可控的优点，通过该方法能够有效提升微纳器件的性能表现。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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