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摘 要:本实用新型公开了一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构,包括极紫外GaN基本体和垫圈,所述垫圈复合在极紫外GaN基本体外部,所述垫圈外壁固定连接防护组件,所述防护组件由金属环和橡胶环组成,所述橡胶环位于金属环外部,所述防护组件外部通过缓冲组件固定连接防磨损组件,所述缓冲组件由面板、导向杆、套筒、衬板和弹簧组成,所述导向杆滑动插接在套筒的开口端位置。本实用新型当防磨损组件受到冲击发生磨损的时候,缓冲组件的导向杆相对套筒滑动,同时面板和衬板之间的弹簧受到挤压发生形变,减缓冲击力;当防磨损组件受到挤压的时候,橡胶圈的空腔发生形变,同时弹性球发生形变,具有很好的缓冲和防磨损效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202121398399.5 | 专利名称: | 一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构 |
申请日: | 2021-06-23 | 申请/专利权人 | 木昇半导体科技(苏州)有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/02搜分类 LED搜索 |
公开/公告日: | 2021-12-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN215342637U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |