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摘 要:本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法,特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV),所以异质结的开路电压得到提高,另一方面,纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV,由于带隙是渐变的,p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化,提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合,进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率,从而提高短路电流。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201010213233.1 | 专利名称: | 一种异质结太阳电池及其制备方法 |
申请日: | 2010-06-29 | 申请/专利权人 | 常州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市武进区滆湖路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/065搜分类 太阳能搜索 |
公开/公告日: | 2012-03-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN101882642B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |