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摘 要:本发明涉及一种单晶硅太阳电池及其制备方法,特指利用在钝化介质层中引入电荷埋层的单晶硅太阳电池,属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明是基于通常单晶硅太阳电池的制备方案,太阳电池的结构是采用局部背接触结构,其特征在于:在太阳电池背面利用热氧化或原子层沉积技术生长一层SiO2层,再利用PECVD生长一层SiNx薄膜,利用激光刻槽技术,刻出背电极接触区域,然后利用电晕方式注入电子,最后利用真空蒸镀方式沉积Al电极。本发明能有效提高太阳电池效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201010213229.5 | 专利名称: | 带有电荷埋层的太阳电池的制备方法 |
申请日: | 2010-06-29 | 申请/专利权人 | 常州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市武进区滆湖路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 太阳能搜索 |
公开/公告日: | 2012-01-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN101882650B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |