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摘 要:本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010045173.0 | 专利名称: | 一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法 |
申请日: | 2020-01-13 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下沙高教园区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/22搜分类 陶瓷 C Sn 微 材料及其制备方法搜索 |
公开/公告日: | 2022-03-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111187062B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |