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摘 要:本发明公开了一种基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器,包括:半导体纳米线、上SiO2层、MoS2层、下SiO2层、金属纳米线以及包裹金属纳米线的SiO2层,其中:上SiO2层和下SiO2层的横向中间位置均设置有空气槽,上SiO2层和下SiO2层之间被MoS2层间隔;半导体纳米线位于上SiO2层之上,并与上SiO2层横向中间位置的空气槽通过两个交点相连;金属纳米线位于下SiO2层下方,且包裹在SiO2层内部,金属纳米线与下SiO2层横向中间部分的空气槽通过一个交点相连。本发明的能量损耗小,可以在室温下实现,阈值更小,能合理平衡能量损耗与局域模限制,方便制造,尺寸更小,阈值更小,综合性能更优。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611204775.6 | 专利名称: | 基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器 |
申请日: | 2016-12-23 | 申请/专利权人 | 武汉工程大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/34搜分类 激光 二硫化钼 等离子体 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2018-12-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106785917B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2018/12/14 | 授权 | |
2017/06/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01S 5/34 专利申请号: 201611204775.6 申请日: 2016.12.23 |
2017/05/31 | 公开 |