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摘 要:本发明涉及一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器,包括结构可表示为D(AB)NC(BA)ND的一维缺陷光子晶体,其中N为正整数、用于表示空间周期数,A和B分别为折射率不同的媒质薄片,且媒质薄片A由超导材料HgBa2Ca2Cu3O8+δ制成,媒质薄片B由半导体材料GaAs制成,C为用于产生缺陷模的缺陷层,且C的材质和厚度与A、B的材质和厚度不完全一样,两个D分别为输入光波导和输出光波导,用于引导光入射和出射所述缺陷光子晶体,同时光波导D将外界压力传递到缺陷光子晶体上,形成静态压强。本发明基于特定材质及结构设计的缺陷光子晶体所得到的静态压强传感器能够对压强进行高精度测量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211389488.2 | 专利名称: | 一种基于超导材料和缺陷光子晶体的静态压强传感器 |
申请日: | 2022-11-08 | 申请/专利权人 | 湖北科技学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省咸宁市咸宁大道88号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L1/24搜分类 传感器搜索 |
公开/公告日: | 2023-12-05 | 转让价格: | 15500.0元 |
公开/公告号: | CN116067543B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |