咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明公开了一种背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池及其制备方法,利用垂直生长于FTO衬基上的氧化铜纳米棒阵列作为钙钛矿太阳电池的空穴传输层,并制成以FTO为阴极和透明复合电极(V2O5/Ag/V2O5)为阳极的背入射钙钛矿太阳电池。发现氧化铜纳米棒阵列构筑的背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池的短路电流密度为23.98 mA/cm2,效率为17.46%;与氧化铜纳米薄膜空穴传输层制备的钙钛矿电池相比,氧化铜纳米阵列空穴传输层制备的钙钛矿电池的短路电流密度和效率大幅度提升,短路电流密度提高了约1.4倍,效率增加了约1.7倍。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110020736.5 | 专利名称: | 一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
申请日: | 2021-01-07 | 申请/专利权人 | 湖州师范学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省湖州市二环东路759号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/42搜分类 半导体 新能源搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 18000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |