发明专利已授权

一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法

📄 申请号：CN202110020736.5 📄 发布日：2026/01/23

著录项目信息

申请日

2021-01-07

申请人

湖州师范学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_42

IPC 分类号

H01L51_42 , H01L51_44 , H01L51_46 , H01L51_48 ,

技术画像

所属领域

钙钛矿太阳电池钙钛矿太阳电池钙钛矿材料 p-i-n器件结构

应用场景

太阳能发电, 光伏电站, 分布式光伏, 建筑一体化光伏, 便携式电源

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摘要

本发明公开了一种背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的氧化铜纳米棒阵列作为钙钛矿太阳电池的空穴传输层，并制成以FTO为阴极和透明复合电极（V2O5/Ag/V2O5）为阳极的背入射钙钛矿太阳电池。发现氧化铜纳米棒阵列构筑的背入射p‑i‑n钙钛矿太阳电池的短路电流密度为23.98 mA/cm2，效率为17.46%；与氧化铜纳米薄膜空穴传输层制备的钙钛矿电池相比，氧化铜纳米阵列空穴传输层制备的钙钛矿电池的短路电流密度和效率大幅度提升，短路电流密度提高了约1.4倍，效率增加了约1.7倍。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220805

✅ 授权

20211001

?? 实质审查的生效：

20210914

📄 公开

一种三维ZnO/CuO纳米异质分级结构光电极的制备方法

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