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摘 要:本发明公开了一种金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法,包括以下步骤:1)在图形化衬底上形成一层金属薄膜,快速升温至750‑1200℃,退火1‑10min,即可在图形化衬底上形成金属纳米粒子;2)转移至MOCVD生长室中,生长缓冲层;3)生长u型GaN、n型GaN、InGaN/GaN量子阱、AlGaN电子阻挡层和p型GaN,即可获得金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED。本发明利用金属纳米粒子作为掩膜,提高缓冲层的横向外延过生长,降低位错密度,达到提高磊晶的效果;使用金属纳米粒子,有利于减小缓冲层的厚度;Au或Ag纳米粒子对光具有较好的反射特性,将有源层发出来的光和LED表面反射回来的光发射出去,提高了LED器件的出光效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810415268.X | 专利名称: | 金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法 |
申请日: | 2018-05-03 | 申请/专利权人 | 五邑大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/00搜分类 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2020-07-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108807609B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |