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摘 要:本发明公开一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法,半导体陶瓷材料的分子式为SrZr1‑xAlxO3,其中x为Al3+掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO3为基体,掺杂不同比例的Al3+制备获得半导体陶瓷材料,具体包括如下步骤:(1)锆酸锶粉体制备;(2)素坯成型;(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3‑5μm波段小于0.5,热导率低于2.5W·m‑1·K‑1,能够在室温至1400℃环境温度下使用,并且在600‑1200℃下的热导率可降至1.5W·m‑1·K‑1以下,可以很好的在高温环境中服役,并且在长期的高温环境中性能稳定,抗腐蚀氧化能力强。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911176014.8 | 专利名称: | 一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法 |
申请日: | 2019-11-26 | 申请/专利权人 | 内蒙古工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/48搜分类 半导体 陶瓷材料 L 材料及其制备方法 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2021-08-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110746186B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |