发明专利已授权

一种倒置QLED器件及其制备方法

📄 申请号：CN201911119709.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-11-15

公开号

CN110828684B

公开日

2022-09-23

申请人

淮阴工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_54 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

量子点发光二极管量子点发光二极管电致发光器件显示技术

应用场景

量子点显示, 显示面板, 发光器件, 照明设备

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摘要

本发明公开了一种倒置QLED器件及其制备方法，属于发光二极管技术领域，该倒置QLED器件为平面层状多膜层结构，平面层状多膜层从下到上分别为：ITO玻璃、电子传输层、分散的硅氧烷化合物纳米结构、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阴极；其中，硅氧烷化合物纳米结构为周期性分布的条状结构或非周期性分布的岛状结构。本发明的一种倒置QLED器件的制备方法，在基于溶液法旋涂成膜，操作方便，无需依赖大型设备，并且硅岛结构的引入，在一定温度(室温)、湿度的环境下即可水解，不需要借助于手套箱等。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于噻咯稠杂环的空穴传输材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

高耐候性类玛雅蓝染料的制备方法

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