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摘 要:本发明公开了一种倒置QLED器件及其制备方法,属于发光二极管技术领域,该倒置QLED器件为平面层状多膜层结构,平面层状多膜层从下到上分别为:ITO玻璃、电子传输层、分散的硅氧烷化合物纳米结构、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阴极;其中,硅氧烷化合物纳米结构为周期性分布的条状结构或非周期性分布的岛状结构。本发明的一种倒置QLED器件的制备方法,在基于溶液法旋涂成膜,操作方便,无需依赖大型设备,并且硅岛结构的引入,在一定温度(室温)、湿度的环境下即可水解,不需要借助于手套箱等。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911119709.2 | 专利名称: | 一种倒置QLED器件及其制备方法 |
申请日: | 2019-11-15 | 申请/专利权人 | 淮阴工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/50搜分类 LED搜索 |
公开/公告日: | 2022-09-23 | 转让价格: | 25000.0元 |
公开/公告号: | CN110828684B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |