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摘 要:本发明公开了一种自激发可存储式光电导器件及其制备方法。本发明以单晶STO衬底为绝缘氧化物,经离子束轰击后,其表层将形成纳米导电薄层——表面电子气SSEG,为N型半导体;WSe2为P型二维半导体材料,层与层之间靠范德瓦尔斯力结合在一起,形成二硒化钨和钛酸锶表面电子气及其PN结,具有结构简单、光电效率高、可存储的特点,可实现光生电子空穴对的存储,获得无限寿命的光生载流子;其工作过程自激励、外量子效率高且结构简单,可用于纳米能源器件领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911061486.9 | 专利名称: | 一种自激发可存储式光电导器件及其制备方法 |
申请日: | 2019-11-01 | 申请/专利权人 | 苏州科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市苏州高新区科锐路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 器件搜索 |
公开/公告日: | 2020-02-21 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110828609A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |