发明专利 已授权

一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构

📄 申请号:CN202111648425.X 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2021-12-31
公开号
CN114267930B
公开日
2022-11-25
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

5G通信, 无线通信系统, 基站射频前端, 雷达系统, 卫星通信

摘要

一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构,属于微波无源器件技术领域。本发明包括顶面金属层、中间介质板及底面金属层,中间介质板内通过设置多个连接顶面金属层和底面金属层的金属化过孔,将顶面金属层与底面金属层之间分隔为四个谐振腔,第一、第二及第三谐振腔之间依次设有耦合窗;顶面金属层上刻蚀有连通第一与第四谐振腔的交叉耦合环形槽;该金属刻蚀槽在本专利中首次创新性提出,可在两个基片集成波导谐振腔间实现电容耦合,从而在滤波器的某些耦合拓扑结构中加入交叉耦合,引入传输零点。本发明在基片集成波导滤波器当中引入交叉耦合结构实现上下边频双零点,并且通过改变新颖电容耦合的结构参数,实现双零点的可控。

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图2
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