用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法

摘     要：本发明涉及一种用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法，多层全息天线包括：半导体基片GeOI、天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环；其中，天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环均包括依次串接的GaAs基等离子pin二极管；GaAs基等离子pin二极管制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在衬底表面利用MOCVD淀积GaAs层并形成隔离区；刻蚀衬底形成P型沟槽和N型沟槽并形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，在衬底上形成引线，以完成GaAs基等离子pin二极管的制备；本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于多层可重构全息天线的高性能GaAs基等离子pin二极管。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/06/23	授权
  2020/06/05	专利申请权的转移	登记生效日: 2020.05.19 申请人由西安科锐盛创新科技有限公司变更为潘芊璇 地址由710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号变更为325000 浙江省温州市鹿城区大南街道隔岸垟新村14-204室
  2017/07/07	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 21/329 专利申请号: 201611183894.8 申请日: 2016.12.20
  2017/06/13	公开