咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201611183894.8 | 专利名称： | 用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法 |
| 申请日： | 2016-12-20 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L21/329分类检索 半导体器件制造技术专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明涉及一种用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法，多层全息天线包括：半导体基片GeOI、天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环；其中，天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环均包括依次串接的GaAs基等离子pin二极管；GaAs基等离子pin二极管制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在衬底表面利用MOCVD淀积GaAs层并形成隔离区；刻蚀衬底形成P型沟槽和N型沟槽并形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，在衬底上形成引线，以完成GaAs基等离子pin二极管的制备；本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于多层可重构全息天线的高性能GaAs基等离子pin二极管。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2020/06/23 | 授权 | |
| 2020/06/05 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2020.05.19 申请人由西安科锐盛创新科技有限公司变更为潘芊璇 地址由710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号变更为325000 浙江省温州市鹿城区大南街道隔岸垟新村14-204室 |
| 2017/07/07 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/329 专利申请号: 201611183894.8 申请日: 2016.12.20 |
| 2017/06/13 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2024116041999 | 【发明】一种芯片封装装置及封装方法 | 2025/07/28 |
| 202222920405X | 【实用新型】一种便于调整的半导体加工用切割装置 | 2025/07/28 |
| 2024119731924 | 【发明】一种锑化镓晶片生产用封装设备 | 2025/07/22 |
| 202211043323X | 【发明】一种石墨舟中硅片贴合状态检测装置及其使用方法 | 2025/07/21 |
| 2023213285210 | 【实用新型】一种半导体封装夹持结构 | 2025/08/08 |
| 2023217364692 | 【实用新型】一种湿式蚀刻装置 | 2025/08/08 |
| 2023217364705 | 【实用新型】一种硅片氧化层去除装置 | 2025/08/08 |
| 2023213284862 | 【实用新型】一种晶圆吸附装置 | 2025/08/08 |
| 2023211100582 | 【实用新型】一种蚀刻喷淋装置 | 2025/08/08 |
| 202121826753X | 【实用新型】晶闸管模块检测台 | 2025/07/16 |
