专利交易市场

一种陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料及其制备方法和应用，属于陶瓷/金属复合材料技术领域。本发明所述的AlN/Ti层状复合材料是通过氮化铝陶瓷基板与钛通过烧结反应扩散结合得到的。反应结合的复合界面形成的扩散区域包含Ti3Al2N2、Ti3AlN、TiN1‑x、Al2Ti中的两种或两种以上化合物组织。还提供了该复合材料的制备方法和应用。本发明陶瓷基板AlN/Ti层状复合材料的界面结构能最大程度地调节陶瓷基板与金属层之间由于金属与陶瓷的热膨胀系数差异导致的应力，从而增强陶瓷基板与后续的金属铜层的结合强度，提高整个封装模块在热循环期间的可靠性，其导电性有利于后续金属层的焊接，并且工艺简单，成本低。

本发明涉及基于Al箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Al箔清除掉表面氧化膜；按照三元层状陶瓷/Al箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的力学性能和使用性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。

本发明涉及基于Ni箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Ni箔清洗清除掉表面油污等杂质；按照三元层状陶瓷/Ni箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。

本发明涉及三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢直接扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；将Ti3SiC2陶瓷与SUS430不锈钢的大表面相接触排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有明显的裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。

本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板的间接钎焊方法，属于陶瓷覆铜板制造技术领域。制备过程：将Ag粉、Cu粉、镀铜低膨胀陶瓷粉和镀铜石墨烯粉混合均匀后制备复合钎料，向复合钎料中加入有机粘结剂制备复合钎料浆料；在氮化铝陶瓷表面沉积活性金属元素Ti、Zr、Hf或Cr。将复合钎料涂覆到溅射有活性元素的氮化铝陶瓷基板表面后，双面复合无氧铜片，所得装配体烘干后放入真空炉中进行钎焊。本发明将具有低膨胀系数的陶瓷颗粒引入到钎料中，使接头热膨胀系数梯度过渡，进而显著降低了接头的残余应力水平。本发明将具有高导热性和高强度的石墨烯引入的复合钎料中，既能增加钎料的强度又能改善其导热性。

本发明公开了一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其制备方法。该氮化硅陶瓷散热翅覆铜板包括氮化硅陶瓷板和金属导电层，在氮化硅陶瓷层和金属导电层之间磁控溅射一层氧化铝层或者金属硅层的过渡层用来焊接氮化硅陶瓷层和金属导电层。解决了氮化硅陶瓷与金属铜板或铝板难以焊接的问题，同时在远离金属层的一侧设置散热翅，增大散热面积，提升散热效率，能满足大功率IGBT封装的需求。

本发明公开了一种金属-陶瓷复合材料及其制备方法；该复合材料包括至少一层金属材料和至少一层陶瓷材料；所述金属材料和陶瓷材料交替设置；所述金属材料与陶瓷材料的接触面为混合间隙固溶体；该复合材料利用金属间隙固溶体和陶瓷间隙固溶体中碳原子的键接作用，使金属材料与陶瓷材料的接触面形成了混合间隙固溶体，显著改善了金属材料与陶瓷材料的润湿性，从而使金属材料与陶瓷材料的结合强度得到显著提高，复合材料的性能显著增强。该复合材料能满足更多领域的性能需求，在更多领域的得到应用，有利于复合材料的大规模应用。

本发明公开一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法，属于陶瓷与金属连接技术领域。该方法首先将三元层状陶瓷与金属铬进行表面处理后进行研磨、抛光及超声清洗；然后将三元层状陶瓷与金属铬安装在热压炉中，并将热压炉抽真空；当热压炉中的真空度达到5×10‑2Pa时开始加热，在温度为1000～1200℃、压力为20～30MPa下恒压保温30～90min，使三元层状陶瓷与金属铬进行扩散连接；连接完成后，在原真空条件下降温至200℃，然后撤压。采用本发明方法获得的连接接头界面结合好，可以满足实际应用的需要，从而扩大了三元层状陶瓷钛硅化碳的应用范围。