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发明专利
已授权
一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法
📄 申请号:CN201611215621.7
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2016-12-26
公开号
CN107540401B
公开日
2020-09-29
申请人
安徽工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C04B37_02
IPC 分类号
C04B37_02
技术画像
所属领域
扩散连接
扩散连接
陶瓷金属连接
MAX相陶瓷
应用场景
高温结构部件制造, 航空航天热端部件连接, 陶瓷/金属复合结构, 核工业结构材料, 先进连接工艺
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摘要
本发明公开一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法,属于陶瓷与金属连接技术领域。该方法首先将三元层状陶瓷与金属铬进行表面处理后进行研磨、抛光及超声清洗;然后将三元层状陶瓷与金属铬安装在热压炉中,并将热压炉抽真空;当热压炉中的真空度达到5×10‑2Pa时开始加热,在温度为1000~1200℃、压力为20~30MPa下恒压保温30~90min,使三元层状陶瓷与金属铬进行扩散连接;连接完成后,在原真空条件下降温至200℃,然后撤压。采用本发明方法获得的连接接头界面结合好,可以满足实际应用的需要,从而扩大了三元层状陶瓷钛硅化碳的应用范围。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种制备纯相中温氧离子导体La
10
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6
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