专利名称：一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用      申请号：2022107279833     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：量子点发光二极管 有机光电材料 显示技术领域   相似专利 发布日：2025/10/15  

应用场景：高分辨率显示设备制造;柔性显示面板生产;低能耗显示技术应用

专利名称：一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法      申请号：2020113724204     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：QLED 制造技术 电晕放电技术 界面修饰工艺 显示与照明设备研发 量子点发光二极管   相似专利 发布日：2025/09/26  

应用场景：提升QLED器件性能与稳定性;优化OLED显示面板制备流程;实现高效蓝光发光器件产业化;应用于超高清显示、柔性照明、智能穿戴设备等领域

专利名称：一种基于苯硫醇衍生物的量子点发光二极管及其制备方法      申请号：2020109202644     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：QLED 技术 有机电子器件 光电材料与器件 量子点发光二极管   相似专利 发布日：2025/09/26  

应用场景：显示设备制造（如OLED显示屏、智能终端屏幕）; 照明设备开发（如高效单色/多色光源）; 柔性可穿戴电子器件应用

专利名称：一种量子点发光二极管及其制备方法      申请号：2020111757383     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子设备和元器件 量子点发光二极管   相似专利 发布日：2025/07/18  
摘要： 本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法：包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；在所述电子传输层上，形成金属阴极。该制备方法用以提高量子点发光二极管的性能。

专利名称：一种量子点发光二极管及其制备方法      申请号：2021115963717     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子设备和元器件 量子点发光二极管   相似专利 发布日：2025/08/12  
摘要： 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：在底电极的表面由下至上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及顶电极，随后进行通电处理，再对电子传输层与顶电极的连接位置进行热处理；电子传输层的制备原料中的电子传输层溶质至少含有ZnO且80wt％的ZnO的粒径为2‑3nm；通电和热处理分别于0.1‑2mA和50‑80℃的条件下进行5‑30min。上述方法可使最终的电子传输层中同时具有小尺寸和大尺寸ZnO纳米颗粒膜，前者具有少空隙、多氧空位，不易淬灭界面激子的优势，后者具有高稳定性和电荷迁移率的优势，从而有利于提高QLED器件的效率和寿命。