专利名称：一种直拉单晶硅生产用原料配备装置      申请号：2022208168142     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体材料制造 单晶硅生长设备 晶体拉制工艺   相似专利 发布日：2025/09/04  
摘要： 本实用新型公开了一种直拉单晶硅生产用原料配备装置，包括熔炉、配料箱和料斗，所述配料箱的一端通过安装座安装有搅拌电机，所述配料箱的顶部通过进料管连接料斗，所述进料管上设置有手动控制阀，所述配料箱内底部设置有隔料板且隔料板的一端贯穿配料箱位于配料箱的外侧。该新型直拉单晶硅生产用原料配备装置能定量添加外加剂，能对原料快速混合实现自动下料，适合广泛推广使用。

专利名称：一种碳化硅生产工艺      申请号：2024119571728     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体材料制造 碳化硅晶体生长技术 高温热处理工艺   相似专利 发布日：2025/09/05  
摘要： 本发明公开了一种新的碳化硅生产工艺，包括以下步骤：S1：将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部，再次除去部分杂质；S2：将预处理后的硅源，放置于提纯容器底部，并分步骤逐渐升温至2250℃，除去低沸点杂质；S3：在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体，进一步除去低沸点杂质，之后进入合成反应器，进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热，反应时间10~20h，得到碳化硅粗品；S4：将步骤S3得到的碳化硅粗品提纯后，纯度＞99.999%。本发明的制备方法简单，成本低廉，减少CO2排放量，可生产出更高纯度的碳化硅，制备的碳化硅纯度大于99.993%，用于电子产品和芯片等领域。

专利名称：太阳能级多晶硅制备装置      申请号：2018107403707     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体材料制造 光伏产业 多晶硅提纯技术   相似专利 发布日：2025/09/04  
摘要： 本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备装置，涉及多晶硅的制备装置技术领域。所述装置首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。