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专利名称:
一种用于电子科学技术单片机检测装置
申请号:
2021201707091
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
集成电路 用于电子 检测 电子科学技术
相似专利
发布日:2024/02/19
摘要: 本实用新型公开了一种用于电子科学技术单片机检测装置,包括底座和检测仪本体,所述底座的顶部固定安装有壳体,所述检测仪本体固定安装在壳体的顶部,所述壳体的内部滑动连接有安装板,所述安装板上固定安装有检测探针,所述检测探针通过连接线与检测仪本体电性连接,所述安装板的两侧均固定安装有限位块,所述壳体两侧的内壁上均开设有供限位块滑动的限位槽,所述安装板的左侧开设有通孔,所述通孔的内部固定安装有螺纹套,所述螺纹套的内部螺纹连接有螺纹杆。本实用新型涉及检测装置技术领域,结构简单,操作方便,能够对单片机进行固定检测,避免检测过程中单片机发生偏移,具有很好的实用性。
专利名称:
一种低温存储器件的制备和调控方法
申请号:
2020115175150
转让价格:面议
收藏
法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
电子科学技术
相似专利
发布日:2025/07/09
摘要: 本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件,具有低温高电流开关特性且可实现外场电控,以铁电材料BaTiO3作为隧穿层,分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极;本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件,在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF,开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到~105,此外,本发明制备工艺简易,操作简便,成本低廉,可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能,本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷,拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能。
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