压力参数测量类专利转让_商标转让

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专利名称：一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法申请号：2019102385162 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：压力参数测量压力信号转换军用民用领域应用结构感知一体化制造运用相似专利发布日：2025/01/15
摘要：本发明公开了一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法，包括基底、苯乙酮改性SiO2薄膜绝缘层、应变电阻层和引线膜，绝缘层设置在基底上，应变电阻层设置在绝缘层上，引线膜设置在应变电阻层上，苯乙酮改性SiO2薄膜的厚度为0.6‑0.8mm，苯乙酮改性SiO2薄膜与基底的结合力为30‑50mN，制备方法包括以下步骤，提供基底，脉冲激光沉积法在基底上沉积苯乙酮改性SiO2薄膜绝缘层；在绝缘层上制作第一光刻胶，以第一光刻胶为掩模，采用多元素靶材通过脉冲激光沉积法在绝缘层上沉积应变电阻层；通过脉冲激光沉积法在应变电阻层上沉积引线膜。本发明能够能够克服现有技术中的薄膜压力传感器在受到高电压时，容易给电流击穿，抗交流能力较低的问题。

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