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本发明公开了一种钙钛矿光电器件及其制备方法和应用，属于光电技术领域。制备方法包括如下步骤：在透明电极上制备空穴传输层，在空穴传输层上制备界面层，在界面层上制备钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制备电子传输层，在电子传输层上制备空穴阻挡层，在空穴阻挡层上沉积电极材料。本发明中在空穴传输层上优先制备界面层，再制备钙钛矿光吸收层。界面层调控了钙钛矿晶粒生长，改善了晶粒的形貌，晶粒无针孔且晶界空隙明显减少，提升了钙钛矿的成膜质量；晶界的减少改善了载流子的复合，降低了光电损失；同时，界面层的引入提高了表面能，使得钙钛矿前驱液可以在界面层表面更好地铺展，从而实现了钙钛矿光电器件的大面积制备。

一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的CH3NH3PbI3钙钛矿光电器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。从下至上，依次由具有ITO导电薄膜的玻璃衬底、PEDOT-PSS空穴传输层、CH3NH3PbI3钙钛矿感光薄膜、PCBM电子萃取层、PCBM：F4-TCNQ混合材料电子俘获层、BCP修饰层、Au电极构成。钙钛矿感光层吸光后产生的光生电子流向器件阴极，并被F4-TCNQ提供的深电子陷阱所束缚，导致阴极附近的PCBM能级向下弯曲，并在PCBM中形成空穴势垒尖峰，阴极空穴在较小的反向偏压下可以隧穿通过该势垒尖峰并注入器件，最终形成空穴增益，大幅提高探测器的光电流密度。