发明专利 已授权

一种钙钛矿光电器件及其制备方法

📄 申请号:CN202210738425.7 📄 发布日:2026/07/15

著录项目信息

申请日
2022-06-27
公开号
CN115020594B
公开日
2025-09-16
申请人
广东工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

太阳能光伏发电, 光电探测器, 发光显示, 柔性电子, 建筑一体化光伏

摘要

本发明公开了一种钙钛矿光电器件及其制备方法和应用,属于光电技术领域。制备方法包括如下步骤:在透明电极上制备空穴传输层,在空穴传输层上制备界面层,在界面层上制备钙钛矿光吸收层,在钙钛矿光吸收层上制备电子传输层,在电子传输层上制备空穴阻挡层,在空穴阻挡层上沉积电极材料。本发明中在空穴传输层上优先制备界面层,再制备钙钛矿光吸收层。界面层调控了钙钛矿晶粒生长,改善了晶粒的形貌,晶粒无针孔且晶界空隙明显减少,提升了钙钛矿的成膜质量;晶界的减少改善了载流子的复合,降低了光电损失;同时,界面层的引入提高了表面能,使得钙钛矿前驱液可以在界面层表面更好地铺展,从而实现了钙钛矿光电器件的大面积制备。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
图3

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