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本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。

本发明涉及一种过渡金属掺杂的M‑Co9S8@CoO材料及其制备方法和应用。过渡金属掺杂的M‑Co9S8@CoO材料为壳核结构，壳为CoO，核为Co9S8，过渡金属在壳、核中均有分布；M‑Co9S8@CoO材料采用溶胶凝胶法制成。制备方法的步骤为将钴盐、过渡金属盐和巯基丁二酸（MSA）分别溶于乙醇中，混合，加入甲酰胺，超声处理；将溶液加热，使溶液变成溶胶，加入乙醇，加热，使溶胶变成凝胶，离心洗涤，冷冻干燥；将凝胶进行煅烧，即可。本发明的过渡金属掺杂的M‑Co9S8@CoO材料在电催化析氧反应中用作电催化剂。本发明解决了现有钴材料作为OER电催化剂存在活性低和催化效果不佳的问题。

本发明公开一种V3S4@V2C复合材料及其制备方法与应用，所述复合材料包括具有MXene结构的V2C以及原位生成在该V2C表面的V3S4。所述V3S4具有三维NiAs晶体结构，所述V2C为二维材料，且V3S4原位生成在V2C上使两者构建成二维和三维异质晶体结构。本发明提供的V3S4@V2C复合材料中，V3S4具有三维NiAs晶体结构，而具有MXene结构的V2C是一种结构特殊的二维材料，并通过原位转化将三维的V3S4和二维的V2C构建异质晶体，具有良好导电性的V2C与具有催化固硫效果的V3S4相互协同能够有效地促进多硫化物在电极表面的扩散与转化，显著地提高锂硫电池的电化学性能。

本发明公开了一种P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料的制备方法及在高电压水系对称超级电容器中的应用。以泡沫镍为基底，铁盐、钴盐为金属源，氟化铵和尿素为沉淀剂，硫化钠为硫化剂，次磷酸钠为无机磷源。首先获得均匀生长在泡沫镍基底上的FeS/Co3S4/Co9S8三相纳米复合材料；再使用化学气相沉积法获得具有银耳结构的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料。将制备的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料组装成三电极体系，在1M KOH电解液中进行电化学性能评价，在‑1~0V电位区间，最大容量高达531 F/g(10A/g)，2万次循环后容量保持率为71.36%；在0~0.55V电位区间内，初始容量为1028.78F/g(10A/g)，20000次循环后容量上升至2492.73F/g，即容量保持率为242.3%。