发明专利已授权

一种V3S4@V2C复合材料及其制备方法与应用

📄 申请号：CN202110969821.6 📄 发布日：2026/05/08

著录项目信息

申请日

2021-08-23

公开号

CN113921817B

公开日

2023-05-19

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_62

IPC 分类号

H01M4_62 , H01M10_052 , C01B32_914 , C01G31_00 , B82Y40_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

过渡金属硫化物过渡金属硫化物 MXene材料电化学储能材料

应用场景

锂离子电池, 钠离子电池, 超级电容器, 储能系统, 电催化

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摘要

本发明公开一种V3S4@V2C复合材料及其制备方法与应用，所述复合材料包括具有MXene结构的V2C以及原位生成在该V2C表面的V3S4。所述V3S4具有三维NiAs晶体结构，所述V2C为二维材料，且V3S4原位生成在V2C上使两者构建成二维和三维异质晶体结构。本发明提供的V3S4@V2C复合材料中，V3S4具有三维NiAs晶体结构，而具有MXene结构的V2C是一种结构特殊的二维材料，并通过原位转化将三维的V3S4和二维的V2C构建异质晶体，具有良好导电性的V2C与具有催化固硫效果的V3S4相互协同能够有效地促进多硫化物在电极表面的扩散与转化，显著地提高锂硫电池的电化学性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种儿科用儿童喂药装置

当前第 / 件

一种碳化钼/碳复合材料及基于熔融盐法的制备方法和应用

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