光刻工艺类专利转让_商标转让

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专利名称：一种提升BE光刻工艺对位性能的方法申请号：2021107516675 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：工艺光刻光刻工艺相似专利发布日：2023/10/10
摘要：本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。

专利名称：一种晶圆片光刻工艺申请号：2018105348387 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体工艺光刻光刻工艺相似专利发布日：2022/07/28
摘要：本发明属于晶圆片光刻技术领域，具体说是一种晶圆片光刻工艺,该工艺采用的光刻机用晶圆片匀胶装置包括固定框、基座、水平调节装置、固定支架、旋转装置、真空吸盘、真空发生器、可调节弹簧和感应装置；所述基座位于固定框上部；所述水平调节装置固定在固定框内；所述固定支架安装在基座上方；所述旋转装置安装在固定支架上；所属真空吸盘位于旋转装置上方；所述真空发生器位于真空吸盘右下方，真空发生器与真空吸盘相连通；所述可调节弹簧数量为三，可调节弹簧之间呈120°分布，可调节弹簧位于基座与固定框之间；所述感应装置位于固定框上方；本装置可以有效保证晶圆片水平固定在真空吸盘上，从而保证晶圆片表面涂覆胶的厚度均匀。

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