专利名称:一种绿色环保的陶瓷坯泥及其制造方法
申请号:2024119524411
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法律状态:授权未缴费
类型:发明
关键词:陶瓷材料 环保工艺
相似专利
发布日:2025/09/10
应用场景:建筑陶瓷生产;日用瓷制造;工业固废资源化处理;节能减排型窑炉配套应用
专利名称:一种抗污瓷制品釉料及其制备方法
申请号:2025104162465
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法律状态:授权未缴费
类型:发明
关键词:陶瓷材料 表面处理技术 建筑材料
相似专利
发布日:2025/09/10
应用场景:建筑外墙瓷砖防污应用;厨房用具表面防护;卫浴设备清洁维护;工业设备防腐涂层;艺术品保色展示
专利名称:一种高强抗菌的釉料及制备工艺
申请号:2025104162450
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法律状态:授权未缴费
类型:发明
关键词:陶瓷材料 建筑材料 功能涂料
相似专利
发布日:2025/09/10
应用场景:建筑外墙装饰;卫生洁具生产;厨房台面制造;医疗设施墙面涂装;公共设施抗菌防护
专利名称:一种陶瓷泵
申请号:2021225873816
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法律状态:已下证
类型:实用新型
关键词:陶瓷材料 泵类设备 流体输送
相似专利
发布日:2025/09/01
应用场景:化工生产中的腐蚀性介质输送;制药行业的无菌液体转移;食品加工领域的卫生级流体处理;半导体制造的高纯度物料传输;环保工程的污水处理系统
专利名称:一种堇青石多孔陶瓷及其制备方法
申请号:2022113788116
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法律状态:已下证
类型:发明
关键词:陶瓷材料 耐火材料 保温材料 高温烟气过滤材料 尾渣 粉煤灰的资源化利用
相似专利
发布日:2025/08/19
摘要: 本发明提供了一种堇青石多孔陶瓷及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:对焙烧的石棉尾渣、粉煤灰和辅料混合得到素坯粉体;将素坯粉体加入粘接剂造粒,得到素坯颗粒料;将素坯颗粒料压制成型,得到素坯;将素坯干燥、加热和保温,冷却得到堇青石多孔陶瓷材料。所述堇青石多孔陶瓷由所述的堇青石多孔陶瓷的制备方法得到。本发明利用石棉尾渣和粉煤灰在较低温度下制备堇青石多孔陶瓷,为石棉尾矿的资源化利用提供了方向;本发明制得的堇青石多孔陶瓷孔径分布较窄、孔隙率高、密度低、化学稳定性好、具有较高的强度的特点,可作为耐火保温材料和高温烟气过滤材料。
专利名称:一种铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷及其制备方法和应用
申请号:2021100877600
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法律状态:已下证
类型:发明
关键词:陶瓷材料 高硬度陶瓷 航空材料
相似专利
发布日:2025/02/17
摘要: 本发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种铪铌基三元固溶体硼化物导电陶瓷及其制备方法和应用,该导电陶瓷的分子式为(HfaNbbMec)B2,其中0.1≤a≤0.9,0
专利名称:一种具有细晶、高硬度和高韧性的高熵陶瓷及其制备方法和应用
申请号:2022111371175
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法律状态:已下证
类型:发明
关键词:陶瓷材料 高硬度陶瓷 新材料
相似专利
发布日:2024/10/08
摘要: 本发明属于陶瓷材料技术领域,公开了一种具有细晶、高硬度和高韧性的高熵陶瓷及其制备方法和应用。所述高熵陶瓷是将HfO2、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、TiO2和无定型硼粉球磨混合后压制成坯体,进行真空热处理得(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Ti0.2)B2固熔体粉体;然后混入金属Co获得(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Ti0.2)B2‑xvol%Co复合粉体,采用放电等离子烧结将复合粉体升温至1200~1500℃煅烧制得;其中098%,平均晶粒尺寸为0.4~0.6μm,硬度为23~30GPa,断裂韧性为4~8MPa·m1/2。
专利名称:一种改性低温共烧陶瓷材料及其制备方法
申请号:2018115153690
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法律状态:已下证
类型:发明
关键词:陶瓷材料
相似专利
发布日:2025/08/11
摘要: 本发明提供一种改性低温共烧陶瓷材料及其制备方法,所述低温共烧陶瓷材料含有主成分陶瓷材料和助剂材料,其中,主成分陶瓷材料含有以氧化物重量份计,48~75份的Si,10~20份的B和25~20份的Al,相对于100重量份的主成分陶瓷材料,所述助剂材料含有0.1~10重量份的选自TiO2和ZrO2的至少一种以及1~10重量份的Si3N4。
专利名称:一种B4C-TiB2导电复相陶瓷及其制备方法
申请号:202210485924X
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法律状态:已下证
类型:发明
关键词:陶瓷材料
相似专利
发布日:2025/07/09
摘要: 本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的,其中TiB2的体积含量为10‑30%。该导电复相陶瓷制备原料为:B4C、TiC和无定形B粉体,其制备步骤是:按照成分设计配比分别称取原料粉体;混合均匀后充分干燥;使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷,烧结温度为2000℃,压力为50MPa,保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构,有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下,本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单,无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比,本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。