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  • 专利名称:堆叠式半导体装置及其制造方法      申请号:2018113436981     转让价格:面议  收藏
    法律状态:已下证   类型:发明   关键词:半导体晶片堆叠 半导体器件 半导体封装   相似专利 发布日:2025/03/03  
    摘要: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。提供有一种堆叠式半导体装置,包括:第一衬底;位于所述第一衬底上的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层;位于所述第二绝缘层上的第二衬底;外接通孔,在垂直于所述第二衬底的上表面的第一方向上延伸穿透所述第二衬底并暴露外接焊盘,所述外接焊盘位于所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中;以及保护环,形成在所述第二绝缘层中并且设置为以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔的侧壁,但不从所述外接通孔的侧壁露出。
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