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一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器，是超低暗电流垂直范德华异质结宽谱响应红外探测器，结构如下：衬底绝缘层(1)，底面反射电极层(3)，n‑型二维层状半导体薄膜层即吸收层(5)，调控层(7)为带隙可调二维薄膜材料层，宽带隙型二维薄膜材料层即势垒层(6)，接触层(8)为n‑型二维层状材料，与吸收层导电类型相同；顶栅电极层(9)和顶电极层(4)；所述顶电极层设置在所述异质结上方接触层的一侧或一周；所述顶栅电极层设置在所述异质结势垒层的正上方。通过改变照射光波长和功率，获得不同波段的探测灵敏度。改变光偏振模式在磁性材料铁磁转变温度以下测试偏振灵敏光响应、光电流成像以观测红外光探测性能。

本实用新型公开了一种半导体LED照明灯，包括灯泡固定座，所述灯泡固定座的下壁面安装有固定结构，所述灯泡固定座的下壁面安装有照明结构；所述固定结构包括：LED散光罩、两个固定耳座、两个磁吸石以及LED透光罩；所述LED散光罩安装在灯泡固定座的下壁面，两个所述固定耳座分别开设有阶梯孔，且安装在LED散光罩的外壁面，两个所述磁吸石分别安装在两个固定耳座分别开设的阶梯孔内，所述LED透光罩套装在LED散光罩的外壁面，本实用新型通过磁吸方式固定半导体LED照明灯以及LED蓄电池解决了现有的LED照明灯安装操作较为复杂，安装方式比较困难，需要专业的电工才能安装LED照明灯，且一旦安装完毕不易拆卸，不易在室外使用的问题。

本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前，因此，则不会引起有源区能带结构发生变化，从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。

本发明公开一种半导体白光发光二极管，其特征在于所述V‑pits具有第一V‑pits和第二V‑pits，第一V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的CdSySe1‑y/ZnO核壳结构纳米柱发出红光；第二V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的ZnSzSe1‑z/ZnO核壳结构纳米柱发出绿光；第一V‑pits和第二V‑pits之间的多量子阱发出蓝光；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。