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一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器，是超低暗电流垂直范德华异质结宽谱响应红外探测器，结构如下：衬底绝缘层(1)，底面反射电极层(3)，n‑型二维层状半导体薄膜层即吸收层(5)，调控层(7)为带隙可调二维薄膜材料层，宽带隙型二维薄膜材料层即势垒层(6)，接触层(8)为n‑型二维层状材料，与吸收层导电类型相同；顶栅电极层(9)和顶电极层(4)；所述顶电极层设置在所述异质结上方接触层的一侧或一周；所述顶栅电极层设置在所述异质结势垒层的正上方。通过改变照射光波长和功率，获得不同波段的探测灵敏度。改变光偏振模式在磁性材料铁磁转变温度以下测试偏振灵敏光响应、光电流成像以观测红外光探测性能。

本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前，因此，则不会引起有源区能带结构发生变化，从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。