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5 件在售专利
一种光刻胶多阶过滤装置
实用新型 已授权
本实用新型公开了一种光刻胶多阶过滤装置,属于光刻胶过滤领域,一种光刻胶多阶过滤装置,包括底盘,底盘上固定连接有水平旋转支架,水平旋转支架上装配有多阶过滤单元,多阶过滤一端安装有进料管,进料管和多阶过滤单元转动呈水平式转动连接,水平旋转支架用于带动多阶过滤单元以多阶过滤单元和进料管的连接处为圆心进行水平转动,多阶过滤单元远离进料管的一端安装有出料头,底盘上侧还固定连接有上侧呈开口设置的接料槽,出料头滑动连接在接料槽的内部,接料槽的外侧安装有与其相连通的出料管,它可以实现,利用离心力加强多阶过滤单元内部光刻胶的流动性,以提升其过滤效率。
📄 2023223865053 📂 B01D33_80 👤 住晶新材料科技(烟台)有限公司 📅 2023-09-04
¥0.0
本实用新型涉及合成器的技术领域,特别是涉及一种生产高纯度光刻胶的合成器,其避免安装干气压力罐和干气换热器进行密封,简化了结构,降低了装置的投入成本,提高了装置的经济使用性,具有推广性;包括合成器主体、空心筒和搅拌机构,合成器主体内部设置有腔室,底端设置有出料口,并且合成器主体的左端上部设置有进料管,空心筒固定在合成器主体的顶端中部,空心筒与合成器主体腔室连通,搅拌机构安装在空心筒上,搅拌机构用于搅拌合成器主体内的物料,还包括环形槽、密封罩和把手,环形槽安装在合成器主体的顶端,环形槽的右端设置有排液管。
📄 2023219300750 📂 B01J19_18 👤 住晶新材料科技(烟台)有限公司 📅 2023-07-21
已申报项目
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一种高性能一体黑光阻
实用新型 已授权
本实用新型公开了一种高性能一体黑光阻,具体涉及光阻技术领域,其技术方案是:包括基板,还包括连接在基板一侧的保护组件;所述基板顶部设置有凹槽,所述基板顶部四周固定连接挡板,所述挡板顶部固定连接保护组件,所述保护组件与基板之间形成光阻空间,本实用新型的有益效果是:通过设置保护组件,利用由透明树脂材料构成的保护层对黑光阻的表面进行保护,防止在使用过程中光组表面受到磨损,提高黑光阻的使用效率;通过设置的防水层,对光阻表面进行防水保护,防止光阻受到水汽影响,无法稳定工作,设置造成光阻损坏;基板的底部设置由环氧树脂构成的安装层,在安装和拆卸过程中,不会对基板造成磨损或损坏,提高黑光阻的安装与使用效率。
📄 2021211155463 📂 G03F7_11 👤 深圳市格莱特印刷材料有限公司 📅 2021-05-21
已申报项目
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一种光刻胶缺陷改善装置
实用新型 已授权
本实用新型提供了一种光刻胶缺陷改善装置,包括:反应腔室;固定在所述反应腔室内的基板,所述基板上用于涂布光刻胶;固定在所述反应腔室内的吸附板,所述吸附板用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒。也就是说,该光刻胶缺陷改善装置通过在反应腔室内设置吸附板,用于吸附光刻胶在烘烤过程中产生的光阻颗粒,不会使这些光阻颗粒掉落在待加工的光刻胶上,进而提高光刻胶加工过程中的加工质量。
📄 2021205118039 📂 G03F7_16 👤 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 📅 2021-03-10
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本发明涉及一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法,光刻胶制备方法以Sb2Te为靶材、以Ar为起辉气体、N2为掺杂气体,在基片上沉积得到NSb2Te光刻胶,控制Ar和N2的流量比,使NSb2Te光刻胶为正胶或负胶;光刻方法包括:S1:在基片上沉积一层NSb2Te光刻胶,控制NSb2Te光刻胶中氮元素的掺杂量,使NSb2Te光刻胶为正胶或者负胶;S2:利用激光直写光刻系统对所述NSb2Te光刻胶进行曝光;S3:利用反应离子刻蚀系统或酸/碱性显影剂对曝光后的所述NSb2Te光刻胶进行干法或湿法显影,得到具有微纳结构的光刻样品。本发明提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好且能在同一显影剂中实现正负胶转换的光刻胶制备方法和光刻方法。
📄 2021104180287 📂 C23C14_35 👤 苏州科技大学 📅 2021-04-19
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实用新型 已授权

一种光刻胶多阶过滤装置

2023223865053 · 住晶新材料科技(烟台)有限公司
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实用新型 已授权

一种生产高纯度光刻胶的合成器

2023219300750 · 住晶新材料科技(烟台)有限公司
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实用新型 已授权

一种高性能一体黑光阻

2021211155463 · 深圳市格莱特印刷材料有限公司
已申报项目
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实用新型 已授权

一种光刻胶缺陷改善装置

2021205118039 · 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
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发明 已授权

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交易类型:转让
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转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年