专利名称：一种提高TCO薄膜综合光电特性的激光加工方法      申请号：2019100666918     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：导电薄膜 透明膜   相似专利 发布日：2025/02/12  
摘要： 本发明属于透明导电氧化物薄膜领域，涉及一种提高TCO薄膜综合光电特性的激光加工方法；步骤为：将需要掺杂金属或合金薄膜作为源薄膜固定于透明基底上，作为转移基片；同时将TCO薄膜固定于透明玻璃基底上，作为接收基片；转移基片置于接收基片上方0~350μm，且薄膜面相对而放，保证转移基片能够完全覆盖住接收基片；皮秒激光束通过转移基板作用在源薄膜上，将源薄膜加热至熔融或者等离子体状态，从基板上脱离并转移到接收基片上，在TCO膜表面沉积金属粒子；本发明有效的避免了直接在TCO薄膜上进行直接的激光加工操作从而造成的形貌破坏，并且工序简单，可控性高，易于实施，同样适用于微纳加工领域。

专利名称：一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法      申请号：2021110097592     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：导电薄膜 半导体材料 触摸屏 液晶显示器   相似专利 发布日：2025/02/05  
摘要： 本发明公开的一种超高透明导电性ITO薄膜的制备方法，具体步骤如下：步骤1，以苯甲酰丙酮、乙二醇甲醚、硝酸铟、四氯化锡及乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2，将钠钙玻璃片作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜玻璃；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜玻璃放置于管式炉中于500～550℃氢气气氛中进行终处理，气压0.1MPa，流量4～10mL/min，保温时间10～15min，得到ITO纳米晶薄膜。该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明公开的一种有上述方法制备的超高透明导电性ITO薄膜。

专利名称：适用于柔性器件的ITO薄膜及其制备方法      申请号：2022100258516     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：导电薄膜 半导体材料 触摸屏 液晶显示器   相似专利 发布日：2025/02/05  
摘要： 本发明公开的适用于柔性器件使用的双面ITO薄膜，步骤1，以纯乙醇、三氯化铟、四氯化锡、乙酸酐为原料配制锡掺杂氧化铟溶胶；步骤2,将聚酰亚胺基板作为镀膜基板采用浸渍提拉法制备ITO镀膜基板；步骤3，将步骤2得到的ITO镀膜基板置于管式炉中于200～350℃氧气气氛中进行热处理，气压0.05～0.5MPa，流量4～20mL/min，保温时间2～5h；步骤4，制备ITO纳米晶薄膜。能够解决现有ITO薄膜不能在低温下进行双面同时镀制的技术难题，而且该方法能够大面积制膜，适合于产业化量产。本发明还公开一种适用于柔性器件使用的双面ITO薄膜。