薄膜材料类专利转让_商标转让

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专利名称：以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜及其制备方法申请号：2019104600233 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：薄膜材料电极薄膜电子电力薄膜材料半导体集成电路薄膜导电薄膜电路薄膜相似专利发布日：2025/04/14
摘要：以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜，包括以下组分：Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮；制备方法的步骤为：以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体，在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜，随后经干燥、热处理，制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜；具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。

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