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专利名称：氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法申请号：2018112302890 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：微电子材料存储器忆阻器薄膜电子传输半导体材料记忆电阻器相似专利发布日：2024/12/09
摘要：本发明公开了一种氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，制备氧化镍凝胶薄膜；步骤2，在步骤1制备的氧化镍凝胶薄膜上制备氧化钛凝胶膜，得氧化钛/氧化镍基片；步骤3，在步骤2所得氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜，得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜；步骤4，使用溅射仪对步骤3所得的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜进行顶电极制备，即得。使用本发明的制备方法可以在ITO底电极上一次性制得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结的制备效率。

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