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本发明公开了一种微电子电路封装测试结果的远程传输方法及装置，该方法包括如下步骤：由具有无线传输功能的第一封装测试装置以及第二封装测试装置收集微电子电路封装测试结果；由第一封装测试装置计算第一封装测试装置收集的微电子电路封装测试结果的第一数据大小；由第二封装测试装置计算第二封装测试装置收集的微电子电路封装测试结果的第二数据大小；在确定第一数据大小之后，由第一封装测试装置传输第一数据大小的数据所需要的第一传输资源的数量；在接收到第一资源激活消息之后，由第一封装测试装置向封装测试结果接收装置发送第一数据；在接收到第二资源激活消息之后，由第二封装测试装置向封装测试结果接收装置发送第二数据。

本发明属于微电子封装技术领域，具体涉及一种用于微电子封装的低温固化锡膏及其制备方法。所述用于微电子封装的低温固化锡膏，按质量百分比计，包括改性焊锡粉85‑90％、改性纳米银颗粒1‑2％、助焊剂8‑14％；所述焊锡粉，按质量百分比计，包括42％Sn和58％Bi；所述改性焊锡粉的制备方法为：将含焊锡粉的醇溶液、含端氨基硅烷偶联剂和天然大分子有机酸的醇溶液混合均匀，超声处理，结束后过滤，用腐殖酸钠溶液洗涤，干燥即得；本发明通过采用特定的改性焊锡粉和改性纳米银颗粒，配合助焊剂，得到的锡膏能够在常温下存储，且具有优异的扩展率。

本发明公开了一种微电子制造中抗热迁移的微焊点结构，包括热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上设有Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%，所述冷端金属基底的焊接面上设有Ag纳米晶薄膜；所述热端金属基底和冷端金属基底通过锡基钎料连接，所述锡基钎料与Co-P纳米晶薄膜和Ag纳米晶薄膜的连接处分别形成第一金属间化合物和第二金属间化合物。其在极端温度梯度条件下具有良好的抗热迁移性能和高可靠性，使用寿命长。还公开了一种微电子制造中抗热迁移微焊点的制备方法，工艺流程简单，工序少，成本低廉。