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一种具有自主散热功能的VCSEL激光器管芯结构，包括有管体，管体包括有上管体和与上管体相连接的下管体，所述上管体内设置有凸透镜，下管体内设置有散热器，散热器的上端连接有和凸透镜相对应的若干个VCSEL激光器，下管体上还设有和散热器相连接的调节结构，所述调节机构包括有若干和散热器固定连接有第一滑块和第二滑块，第一滑块内壁固定连接有螺纹筒，螺纹筒螺纹连接有螺杆，所述下管体上可拆卸连接有若干挡板，挡板和螺杆转动连接，挡板下端还连接有若干基柱，有效的解决了现有技术中的无法根据需要对VCSEL激光器和凸透镜之间的距离进行调节，无法改变凸透镜的折射角，影响激光的输出功率的问题。

本发明涉及一种基于长波长自旋VCSEL的极化输出转换装置，包括：泵浦光注入模块、圆偏振光注入模块；极化光输出模块；分析控制模块。其中，泵浦光注入模块包括980nm的泵浦激光器、温度控制器，电流控制器，隔离器，偏振控制器。圆偏振光注入模块包括两个1300nm半导体激光器(SL)，隔离器，偏振控制器，耦合器。极化光输出模块包括1300nm自旋VCSEL，准直镜和温度控制器；分析控制模块包括与泵浦光注入模块、圆偏振光注入模块和极化光输出模块相连的数据采集卡和电脑，用于调节整个系统的外部参量(如泵浦光的强度、圆偏振光注入强度、激光器的温度和电流等)并采集数据；数据的分析由光谱仪、频谱分析仪、实时示波器、偏光计、功率计等完成。

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层；该方法包括以下步骤：一、半导体激光器芯片的生长；二、第一氧化限制层的制作；三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作；四、第二氧化限制层的制作；五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小，通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量，并能压缩激光线宽，实用性强。

本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板，包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B，VCSEL芯片本体安装在电极A上，VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术，引线条数增加，电流分布的均匀较好，可通入的电流增大，并使得芯片的散热均匀，可以解决现有技术中的引线不均匀而导致的电流不均匀的问题并使得芯片的散热能力增强。